-
1 напряжение впадины туннельного диода
напряжение впадины туннельного диода
Uв
UV
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
70. Напряжение впадины туннельного диода
D. Talspannung der Tunneldiode
E. Valley point voltage
F. Tension de vallée
Uв
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение впадины туннельного диода
-
2 напряжение пика туннельного диода
напряжение пика туннельного диода
UП
UP
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
69. Напряжение пика туннельного диода
D. Höckerspannung der Tunneldiode
E. Peak point voltage
F. Tension de pic
Uп
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение пика туннельного диода
-
3 напряжение раствора туннельного диода
напряжение раствора туннельного диода
Uрр
UРР
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
71. Напряжение раствора туннельного диода
D. Projezierte Höckerspannug
E. Projected peak point voltage
F. Tension isohypse
Uрр
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение раствора туннельного диода
-
4 отношение токов туннельного диода
отношение токов туннельного диода
Iп/Iв
Ip/IV
Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
68. Отношение токов туннельного диода
D. Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode
E. Peak to valley point current ratio
F. Rapport de dénivellation du courant
Iп / Iв
Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > отношение токов туннельного диода
-
5 отрицательная проводимость туннельного диода
отрицательная проводимость туннельного диода
gпер
gj
Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
72. Отрицательная проводимость туннельного диода
D. Negativer Leitwert der Tunneldiode
E. Negative conductance of the intrinsic diode
F. Conductance négative de la diode intrinséque
gпер
Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > отрицательная проводимость туннельного диода
-
6 предельная резистивная частота туннельного диода
предельная резистивная частота туннельного диода
fR
Fr
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
73. Предельная резистивная частота туннельного диода
D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode
E. Resistive cut-off frequency
F. Fréquence de coupure résistive
fR
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > предельная резистивная частота туннельного диода
-
7 ток впадины туннельного диода
ток впадины туннельного диода
Iв
IV
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
67. Ток впадины туннельного диода
D. Talstrom der Tunneldiode
E. Valley point current
F. Courant de vallée
Iв
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > ток впадины туннельного диода
-
8 шумовая постоянная туннельного диода
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > шумовая постоянная туннельного диода
-
9 пиковый ток туннельного диода
пиковый ток туннельного диода
Iп
IP
Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пиковый ток туннельного диода
См. также в других словарях:
Туннельный диод — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Обозначение на схемах … Википедия
Диод — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Четыре диода и диодный мост. Диод (от др. греч … Википедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами (электродами). В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p n перехода. Плоскостные p n переходы для… … Википедия
Сверхвысоких частот техника — техника СВЧ, область науки и техники, связанная с изучением и использованием свойств электромагнитных колебаний и волн в диапазоне частот от 300 Мгц до 300 Ггц. Эти границы условны: в некоторых случаях нижней границей диапазона СВЧ… … Большая советская энциклопедия
Наноантенна — Рис. 1. Спектральная плотность облучения солнечного света. Красная область показывают плотность облучения на уровне моря. Провалы в ней объясняются поглощением света в атмосфере. Наноантенной называется устройство накопления солнечной энергии,… … Википедия
сверхвысоких частот техника — техника СВЧ, область науки и техники, связанная с изучением и использованием электромагнитных колебаний и волн в диапазоне СВЧ. Теория электромагнитного поля СВЧ основана на общих законах электродинамики. Средства техники сверхвысоких частот… … Энциклопедический словарь
Квантовая емкость — (Quantum Capacitance) физическое понятие, введенное в научный оборот в 1988 году Серже Лурием для описания двумерных (2М ) систем электронного газа тогда в кремнии и арсенид галлии через стандартное понятие 2М плотности состояний. Последние… … Википедия
Квантовая емкость (графен) — Квантовая емкость (Quantum Capacitance) физическое понятие, введенное в научный оборот в 1988 году Серже Лурием для описания двумерных (2М ) систем электронного газа тогда в кремнии и арсенид галлии через стандартное понятие 2М плотности… … Википедия
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… … Энциклопедический словарь